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题名/责任者:

集成功率器件设计及TCAD仿真/(加) 付越 ... [等] 著 杨兵译

出版发行项:

北京:机械工业出版社,2018

ISBN及定价:

978-7-111-59273-0/CNY125.00

载体形态项:

xiii, 321页, [8] 页图版:图;24cm

并列正题名:

Integrated power devices and TCAD simulation : devices, circuits, and systems

丛编项:

微电子与集成电路先进技术丛书

个人责任者:

(加) 付越 著

个人责任者:

(加) 李占明 著

个人责任者:

(加) 吴卫东 著

个人责任者:

(加) 辛 (Sin, Johnny K. O.) 著

个人次要责任者:

杨兵 译

学科主题:

集成电路-功率半导体器件-计算机辅助设计

中图法分类号:

TN303-39

题名责任附注:

题名页题其余责任者 : (加) 李占明, (加) 吴卫东, (加) 约翰尼 K.O.辛(Johnny K. O. Sin)

版本附注:

据2014年英文版译出

出版发行附注:

由Taylor & Francis出版集团旗下，CRC出版公司授权出版

提要文摘附注:

本书从电力电子到功率集成电路（PIC）、智能功率技术、器件等方面给电源管理和半导体产业提供了一个完整的描述。本书不仅介绍了集成功率半导体器件，如横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（LDMOSFET）、横向绝缘栅双极型晶体管（LIGBT）和超结LDMOSFET的内部物理现象，还对电源管理系统进行了一个简单的介绍。本书运用计算机辅助设计技术（TCAD）仿真实例讲解集成功率半导体器件的设计，代替抽象的理论处理和令人生畏的方程，并且还探讨了下一代功率器件，如氮化镓高电子迁移率功率晶体管（GaN功率HEMT）。本书内容有助于填补功率器件工程和电源管理系统之间的空白。

使用对象附注:

本书可作为高等院校功率器件工程、电子科学与技术、电子与信息工程等专业高年级本科生和研究生参考书

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