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题名/责任者:

大气中子在先进存储器件中引起的软错误/(日) 中村刚史 ... [等] 著 陈伟 ... [等] 译

出版发行项:

北京:国防工业出版社,2015

ISBN及定价:

978-7-118-10284-0/CNY89.00

载体形态项:

xv, 219页:图;24cm

并列正题名:

Terrestrial neutron-induced soft errors in advanced memory devices

个人责任者:

中村刚史 著

个人次要责任者:

陈伟 译

学科主题:

中子-研究

中图法分类号:

O572.34

出版发行附注:

由World Scientific Co. Pte. Ltd.授权出版

书目附注:

有书目 (第201-219页)

提要文摘附注:

本书详细介绍了大气层中子在先进存储器件中引起的单粒子效应的研究内容。书中涵盖了大气层中子辐射环境、中子探测原理、中子辐照模拟装置、中子引起的单粒子效应物理机理、实验方法、数值模拟，以及国际上的一些标准规范等。

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