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题名/责任者:

半导体激光器能带结构和光增益的量子理论.上册/郭长志编著

出版发行项:

北京:科学出版社,2016

ISBN及定价:

978-7-03-047340-0 精装 ; 上册/CNY178.00

载体形态项:

479页:图;25cm

丛编项:

半导体激光器设计理论

个人责任者:

郭长志 编著

学科主题:

半导体激光器-能带结构-量子论

学科主题:

半导体激光器-激光-增益-量子论

中图法分类号:

TN248.4

一般附注:

国家科学技术学术著作出版基金资助出版

书目附注:

有书目和索引

提要文摘附注:

本书讨论了达到设计所需精度的量子阱、量子线、和量子点的电子能带和能级的量子理论和设计计算，带间和子带间光跃迁几率和光增益的半径典量子理论和设计，应变效应及其对各维能带结构的影响、温度效应T0问题的物理机制，特别是俄歇复合的量子理论及其克服方案和设计，量子阱间耦合、载流子落入和逃逸时间的理论和设计。子带间量子级联激光器的理论和设计，其真正优点和局限性。扼要介绍全量子理论的量子光学和自发发射等理论问题。

使用对象附注:

本书适合有关专业的研究人员和教师、研究生、大学高年级本科生作为专业课本、参考书或自修提高的读物。

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