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题名/责任者:

先进的高压大功率器件:原理、特性和应用/(美) B. Jayant Baliga著 于坤山 ... [等] 译

出版发行项:

北京:机械工业出版社,2015

ISBN及定价:

978-7-111-49307-5/CNY99.00

载体形态项:

442页:图;24cm

并列正题名:

Advanced High Voltage Power Device Concepts

其它题名:

原理、特性和应用

丛编项:

国际电气工程先进技术译丛

个人责任者:

巴利加 (Baliga, B. Jayant), 1948- 著

个人次要责任者:

于坤山 译

学科主题:

大功率-功率半导体器件

中图法分类号:

TN303

出版发行附注:

由Springer授权出版

责任者附注:

责任者Baliga规范汉译姓: 巴利加

书目附注:

有书目

提要文摘附注:

本书第1章简要介绍了高电压功率器件的可能应用，定义了理想功率开关的电特性，并与典型器件的电特性进行了比较。第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。第4章讨论了硅门极关断晶闸管结构。第5章致力于分析硅基IGBT结构，以提供对比分析的标准。第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT.碳化硅MOSFET和IGBT的结构设计重点在于保护栅氧化层，以防止其提前击穿。另外，必须屏蔽基区，以避免扩展击穿。这些器件的导通压降由沟道电阻和缓冲层设计所决定。第8章和第9章讨论了金属氧化物半导体控制晶闸管（MCT）结构和基极电阻控制晶闸管（BRT）结构，后者利用MOS栅控制晶闸管的导通和关断。第10章介绍了发射极开关晶闸管（EST），该种结构也利用一种MOS栅结构来控制晶闸管的导通与关断，并可利用IGBT加工工艺来制造。这种器件具有良好的安全工作区。最后一章比较了书中讨论的所有高压功率器件结构。

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