MARC状态：审校 文献类型：中文图书 浏览次数：45
- 题名/责任者:
- 半导体器件原理/黄均鼐，汤庭鳌，胡光喜编著
- 出版发行项:
- 上海:复旦大学出版社,2011
- ISBN及定价:
- 978-7-309-08144-2/CNY48.00
- 载体形态项:
- 375页;26cm
- 个人责任者:
- 黄均鼐 编著
- 个人责任者:
- 汤庭鳌 编著
- 个人责任者:
- 胡光喜 (1964-) 编著
- 学科主题:
- 半导体器件
- 中图法分类号:
- TN303
- 一般附注:
- 博学·微电子学系列
- 提要文摘附注:
- 本书不仅介绍了传统的p-n结、双极型晶体管、单栅MOS场效应管、功率晶体管等器件的结构、原理和特性，还介绍了新型多栅MOS场效应管、不挥发存储器以及肖特基势垒源／漏结构器件的原理和特性。
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| 索书号 | 条码号 | 年卷期 | 馆藏地 | 书刊状态 | 还书位置 |
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