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MARC状态:审校 文献类型:中文图书 浏览次数:40

题名/责任者:
碳化硅晶体生长与缺陷/施尔畏编著 中国科学院上海硅酸盐研究所碳化硅晶体项目部
出版发行项:
北京:科学出版社,2012
ISBN及定价:
978-7-03-034128-0 精装/CNY128.00
载体形态项:
xiv, 360页:图 (部分彩图);25cm
并列正题名:
Growth and defects of silicon carbide crystal
个人责任者:
施尔畏 编著
团体次要责任者:
中国科学院 上海硅酸盐研究所 碳化硅晶体项目部 编
学科主题:
硅酸盐矿物-晶体生长
中图法分类号:
P578.94
提要文摘附注:
本书系统地介绍了物理气相输运 (PVT) 法碳化硅晶体生长与缺陷研究方面的工作, 由碳化硅晶体的多型结构与表征、碳化硅晶体的PVT法生长、气相组分SimCn和碳化硅晶体的生长机制、碳化硅晶体的结晶缺陷四部分组成。
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P578.94/2 CN1310288  - 内阅图书     阅览
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