MARC状态：审校 文献类型：中文图书 浏览次数：25
- 题名/责任者:
- MOS器件电离损伤的蒙特卡罗模拟研究/答元著 陈世彬指导
- 出版发行项:
- 西安:西安工业大学,2011
- ISBN及定价:
- 缴送
- 载体形态项:
- 45页;28cm
- 个人责任者:
- 答元 著
- 个人次要责任者:
- 陈世彬 指导
- 非控制主题词:
- 高能光子 MOS器件 蒙特卡罗模拟 阈值电压 电离损伤
- 中图法分类号:
- O572.31
- 学位论文附注:
- 硕士论文--西安工业大学光电学院,2011
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