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- 题名/责任者:
- 纳米CMOS电路和物理设计/(美)BAN P. WONG[等]著 辛维平等译
- 出版发行项:
- 北京:机械工业出版社,2011
- ISBN及定价:
- 978-7-111-33083-7/CNY98.00
- 载体形态项:
- 13,345页;24cm
- 丛编项:
- 国际信息工程先进技术译丛
- 个人责任者:
- (美) 王班 (Wong, Ban P. 1953-) 著
- 个人次要责任者:
- 辛维平 译
- 学科主题:
- 纳米材料-互补MOS集成电路-集成电路-电路设计
- 中图法分类号:
- TN432
- 版本附注:
- Wiley授权机械工业出版社
- 提要文摘附注:
- 本书将纳米工艺、器件可制造性、先进电路设计和相关物理实现等内容整合到一起,形成了一套先进的半导体技术,探讨了器件和工艺的新发展,提供了设计考虑,重点关注了技术与设计的相互影响,并且描述了可制造性设计和波动性的影响。
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索书号 | 条码号 | 年卷期 | 馆藏地 | 书刊状态 |
TN432/12 | CN1284054 | ![]() |
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TN432/12 | CN1284055 | ![]() |
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