MARC状态:已编 文献类型:中文图书 浏览次数:17
- 题名/责任者:
- 电可改写非挥发存储器/于宗光, 郝跃著
- 出版发行项:
- 北京:国防工业出版社,2002
- ISBN及定价:
- 7-118-02767-7 精装/19.00元
- 载体形态项:
- 227页:图;20cm
- 个人责任者:
- 于宗光 著
- 个人责任者:
- 郝跃 著
- 学科主题:
- 电子计算机-存储器-基本知识
- 中图法分类号:
- TP333
- 责任者附注:
- 于宗光,山东人,西安电子科技大学和东南大学硕士,博士。教授级高工,从事集成电路设计及可靠性研究,出版专著2部,论文100多篇。
- 责任者附注:
- 郝跃,工学硕士,理学博士,西安电子科技大学副教授,副校长,出版专著4部,发表论文120多篇。
- 提要文摘附注:
- 全书共分12章。第一章介绍电可改写集成电路的基本概念与工作原理,第二章介绍EEPROM单元结构,第三章介绍EEPROM单元的设计技术,第四章介绍EEPROM电路的设计技术,第五、六、七、八章介绍可靠性,第九章介绍失效机理与考核,第十章介绍误差矫正,第十一、十二章介绍新器件。
- 使用对象附注:
- 读者对象:高校电子技术专业师生,集成电路设计和应用科技人员
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索书号 | 条码号 | 年卷期 | 馆藏地 | 书刊状态 |
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