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题名/责任者:

电可改写非挥发存储器/于宗光, 郝跃著

出版发行项:

北京:国防工业出版社,2002

ISBN及定价:

7-118-02767-7 精装/19.00元

载体形态项:

227页:图;20cm

并列正题名:

Electrically Re-Programmable Nonvolatile Memory

个人责任者:

于宗光 著

个人责任者:

郝跃 著

学科主题:

电子计算机-存储器-基本知识

中图法分类号:

TP333

责任者附注:

于宗光，山东人，西安电子科技大学和东南大学硕士，博士。教授级高工，从事集成电路设计及可靠性研究，出版专著2部，论文100多篇。

责任者附注:

郝跃，工学硕士，理学博士，西安电子科技大学副教授，副校长，出版专著4部，发表论文120多篇。

提要文摘附注:

全书共分12章。第一章介绍电可改写集成电路的基本概念与工作原理，第二章介绍EEPROM单元结构，第三章介绍EEPROM单元的设计技术，第四章介绍EEPROM电路的设计技术，第五、六、七、八章介绍可靠性，第九章介绍失效机理与考核，第十章介绍误差矫正，第十一、十二章介绍新器件。

使用对象附注:

读者对象：高校电子技术专业师生，集成电路设计和应用科技人员

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