MARC状态:审校 文献类型:中文图书 浏览次数:3
- 题名/责任者:
- 二维半导体的滑移铁电物理及器件特性研究/卞仁吉, 刘富才著
- 出版发行项:
- 成都:电子科技大学出版社,2025
- ISBN及定价:
- 978-7-5770-1257-5/CNY60.00
- 载体形态项:
- 141页:图;24cm
- 个人责任者:
- 卞仁吉, 1993- 著
- 个人责任者:
- 刘富才, 1986- 著
- 学科主题:
- 压电器件-研究
- 中图法分类号:
- TN384
- 一般附注:
- 博士论丛
- 责任者附注:
- 卞仁吉(1993-), 电子科技大学光学工程专业博士, 现为杭州积海半导体有限公司资深工程师; 主要研究方向为新型二维铁电材料及高密度存储器件。
- 责任者附注:
- 刘富才(1986-), 南开大学物理学专业博士, 现为电子科技大学光电科学与工程学院教授, 国家级青年人才、四川省学术与技术带头人; 主要研究方向为新型低维材料与类脑智能器件研究。
- 书目附注:
- 有书目 (第121-141页)
- 提要文摘附注:
- 本书共六章。第一章为绪论, 介绍铁电理论和临界尺寸效应, 以及二维层状铁电体; 第二章为实验方法; 第三章为二维半导体的滑移铁电物性, 介绍了如何通过电学输运特性表征滑移铁电体的铁电性及铁电的居里相变温度研究; 第四章为层间滑移诱导的多极化态及抗疲劳特性, 详述了滑移铁电体的层数依赖的极化态及天然的抗疲劳特性; 第五章为高性能滑移铁电半导体晶体管, 通过合理的器件结构设计实现了高性能的滑移铁电半导体晶体管的制备; 第六章为总结。
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索书号 | 条码号 | 年卷期 | 馆藏地 | 书刊状态 | 还书位置 |
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