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题名/责任者:

宽禁带半导体功率器件:材料、物理、设计及应用/(美) 贾扬·巴利加(B. Jayant Baliga)[等]著 杨兵译

出版发行项:

北京:机械工业出版社,2024

ISBN及定价:

978-7-111-73693-6/CNY149.00

载体形态项:

331页, [15] 页图版:图 (部分彩图);24cm

并列正题名:

Wide bandgap semiconductor power devices:materials, physics, design, and applications

其它题名:

材料、物理、设计及应用

丛编项:

半导体与集成电路关键技术丛书

丛编项:

微电子与集成电路先进技术丛书

个人责任者:

巴利加 (JayantBaliga B.) 著

个人次要责任者:

杨兵 译

学科主题:

禁带-半导体器件-研究

中图法分类号:

TN303

一般附注:

CMP BOOKS ELSEVIER

出版发行附注:

ELSEVIER INC授权出版 限中国大陆发行

相关题名附注:

英文题名取自版权页

书目附注:

有书目

提要文摘附注:

本书讨论了第三代半导体材料SiC和GaN的物理特性，以及功率应用中不同类型的器件结构，同时讨论了SiC和GaN功率器件的设计、制造，以及智能功率集成中的技术细节。也讨论了宽禁带半导体功率器件的栅极驱动设计，以及SiC和GaN功率器件的应用。最后对宽禁带半导体功率器件的未来发展进行了展望。

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