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题名/责任者:

电子器件的电离辐射效应:从存储器到图像传感器/(意)Marta Bagatin，(意)Simone Gerardin主编 毕津顺[等]译

出版发行项:

北京:电子工业出版社,2022

ISBN及定价:

978-7-121-44206-3/CNY119.00

载体形态项:

20,299页:照片，图;26cm

并列正题名:

Ionizing radiation effects in electronics:from memories to imagers

丛编项:

国防电子信息技术丛书.集成电路辐射效应与加固技术系列

个人责任者:

(意) 巴吉安 (Bagatin, Marta) 主编

个人责任者:

(意) 杰拉尔丁 (Gerardin, Simone) 主编

个人次要责任者:

毕津顺 译

学科主题:

电子器件-电离辐射-研究

中图法分类号:

TN6

中图法分类号:

O644.2

版本附注:

Taylor & Francis出版集团下CRC出版公司授权出版

提要文摘附注:

本书涵盖了现代半导体的电离辐射效应，探讨了抗辐射加固技术。首先介绍辐射效应的重要背景知识、物理机制、仿真辐射输运的蒙特卡罗技术和电子器件的辐射效应。重点阐述以下内容：商用数字集成电路的辐射效应，包括微处理器、易失性存储器(SRAM和DRAMD)和闪存；数字电路、现场可编程门阵列(FPGA)和混合模拟电路中的软错误效应、总剂量效应、位移损伤效应和设计加固解决方案；纤维光学和成像器件(包括CMOS图像传感器和电荷耦合器件CCD)的辐射效应。

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