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题名/责任者:

碳化硅功率器件:特性、测试和应用技术/高远，陈桥梁编著

出版发行项:

北京:机械工业出版社,2021

ISBN及定价:

978-7-111-68175-5/CNY99.00

载体形态项:

14,311页:图;24cm

并列正题名:

Characteristics, testing and applications:characteristics, testing and applications

个人责任者:

高远 编著

个人责任者:

陈桥梁 编著

学科主题:

功率半导体器件

中图法分类号:

TN303

一般附注:

电力电子新技术系列图书

相关题名附注:

封面英文题名：Silicon Carbide power semiconductor devices: characteristics, testing and applications

提要文摘附注:

本书介绍了碳化硅功率器件的基本原理、特性、测试方法以及应用技术，概括了近年学术界和工业界的最新研究成果。本书共分为9个章节，分别为功率半导体器件的基础，SiC MOSFET参数解读、测试及应用，双脉冲测试，SiC与Si器件特性对比，高di/dt影响与应对——关断电压尖峰，高dv/dt影响与应对——crosstalk，共模电流的影响与应对，共源极电感的影响与应对及驱动电路设计。

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