西安工业大学图书馆书目检索系统

| 暂存书架(0) | 登录

MARC状态:审校 文献类型:中文图书 浏览次数:31

题名/责任者:
纳米CMOS器件及电路的辐射效应/刘保军, 刘小强, 刘忠永著
出版发行项:
北京:电子工业出版社,2021
ISBN及定价:
978-7-121-40841-0/CNY79.00
载体形态项:
253页:图;24cm
个人责任者:
刘保军, 1984- 著
个人责任者:
刘小强
个人责任者:
刘忠永
学科主题:
半导体器件-纳米材料
中图法分类号:
TN303
书目附注:
有书目
提要文摘附注:
本书主要介绍辐射效应对纳米CMOS器件及其电路的影响,涵盖了各种辐射环境分析、电离损伤机理研究、纳米器件的总剂量效应和单粒子效应的建模仿真、辐射效应对纳米CMOS电路的影响等内容,综合考虑了器件特征尺寸缩减对辐射效应的影响,给出了纳电子器件及其电路的辐射效应的分析方法和思路。
全部MARC细节信息>>
索书号 条码号 年卷期 馆藏地 书刊状态 还书位置
TN303/60 CN1871170   内阅图书     阅览 内阅图书
TN303/60 CN1871171   未央馆     可借 未央馆
TN303/60 CN1871172   未央馆     可借 未央馆
显示全部馆藏信息
借阅趋势

同名作者的其他著作(点击查看)
用户名:
密码:
验证码:
请输入下面显示的内容
  证件号 条码号 Email
 
姓名:
手机号:
送 书 地:
收藏到: 管理书架