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题名/责任者:

模拟CMOS集成电路设计/(美)毕查德·拉扎维(Behzad Razavi)著 陈贵灿[等]译

版本说明:

2版

出版发行项:

西安:西安交通大学出版社,2018

ISBN及定价:

978-7-5693-0992-8/CNY138.00

载体形态项:

14,10,724页:图;26cm

并列正题名:

Design of analog CMOS integrated circuits

个人责任者:

(美) 拉扎维 (Razavi, Behzad) 著

个人次要责任者:

陈贵灿 (1942-) 译

学科主题:

CMOS电路-电路设计-教材

中图法分类号:

TN432.02

一般附注:

国外名校最新教材精选 本科高年级及研究生用书

出版发行附注:

西安交通大学出版社与麦格希(亚洲)教育出版公司合作出版

提要文摘附注:

本书共分十九章，主要内容包括模拟电路设计绪论、MOS器件物理基础、单级放大器、差动放大器、电流镜与偏置技术、放大器的频率特性、噪声、反馈、运算放大器、稳定性与频率补偿、纳米设计分析等。

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