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MARC状态:审校 文献类型:中文图书 浏览次数:39

题名/责任者:
IGBT疲劳失效机理及其健康状态监测/肖飞 ... [等] 编著
出版发行项:
北京:机械工业出版社,2019
ISBN及定价:
978-7-111-63407-2/CNY59.00
载体形态项:
232页:图;24cm
个人责任者:
肖飞 编著
个人责任者:
刘宾礼 编著
个人责任者:
罗毅飞 编著
学科主题:
绝缘栅场效应晶体管-疲劳机理-监测
中图法分类号:
TN386.2
题名责任附注:
题名页题其余责任者:刘宾礼,罗毅飞,黄永乐
书目附注:
有书目
提要文摘附注:
本书通过详细分析IGBT芯片与封装疲劳失效机理,在研究失效特征量随疲劳老化时间变化规律的基础之上,通过将理论分析与解析描述相结合,建立了IGBT相关电气特征量的健康状态监测方法,对处于不同寿命阶段的IGBT器件健康状态进行有效评估。
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