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题名/责任者:

氮化镓功率晶体管:器件、电路与应用/(美) 亚历克斯·利多(Alex Lidow) ... [等] 著 段宝兴, 杨银堂译

出版发行项:

北京:机械工业出版社,2018

ISBN及定价:

978-7-111-60578-2/CNY79.00

载体形态项:

xii, 222页:图;24cm

并列正题名:

GaN transistors for efficient power conversion

其它题名:

器件、电路与应用

丛编项:

电子科学与工程系列图书

个人责任者:

(美) 利多 (Lidow, Alex) 著

个人责任者:

(美) 斯其顿 (Strydom, Johan) 著

个人责任者:

(美) 罗伊 (Rooij, Michael de) 著

个人次要责任者:

段宝兴 译

个人次要责任者:

杨银堂 译

学科主题:

氮化镓-功率晶体管-研究

中图法分类号:

TN323

题名责任附注:

题名页题其余责任者: (美) 约翰·斯其顿 (Johan Strydom), (美) 迈克尔·德·罗伊 (Michael De Rooij), (美) 戴维·罗伊施 (David Reusch)

版本附注:

据原文第2版译出

出版发行附注:

由Wiley授权出版

相关题名附注:

原文题名取自版权页

书目附注:

有书目

提要文摘附注:

本书共包括11章：第1章概述了氮化镓(GaN)技术；第2章介绍了GaN晶体管的器件物理；第3章介绍了GaN晶体管的驱动；第4章介绍了GaN晶体管电路的版图设计；第5章讨论了GaN晶体管的建模和测量；第6章详细介绍了硬开关技术；第7章详细介绍了软开关技术和变换器；第8章介绍了GaN晶体管射频特性；第9章讨论了GaN晶体管的空间应用；第10章列举了GaN晶体管的应用实例；第11章分析了GaN晶体管替代硅功率晶体管的原因。

使用对象附注:

微电子科学与工程专业和电力电子技术专业高年级本科生和研究生、从事氮化镓功率半导体技术研究的科研工作者、工程师

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