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题名/责任者:

宽禁带半导体高频及微波功率器件与电路/赵正平等著

出版发行项:

北京:国防工业出版社,2017

ISBN及定价:

978-7-118-11454-6/CNY98.00

载体形态项:

XXII, 291页, 6页图版:图;24cm

并列正题名:

Wide bandgap semiconductor and microwave power device and circuits

丛编项:

雷达与探测前沿技术丛书

个人责任者:

赵正平 著

学科主题:

禁带-微波半导体器件-电路

中图法分类号:

TN385

一般附注:

“十二五”国家重点出版规划项目 国家出版基金项目

责任者附注:

赵正平，江苏扬州人，研究员级高工，1970年毕业于清华大学无线电电子学系，1982年获南京工学院电子工程系半导体物理与器件专业工学硕士学位。

书目附注:

有书目

提要文摘附注:

本书将介绍新世纪十几年来第三代半导体——宽禁带半导体在固态高频和微波领域的发展，形成了新一代电力电子器件和第五代固态微波器件的格局。包括：宽禁带半导体材料；碳化硅高频功率器件；氮化镓微波功率器件与电路；展望。

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