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题名/责任者:

忆阻器导论/缪向水 ... [等] 编著

出版发行项:

北京:科学出版社,2018

ISBN及定价:

978-7-03-056687-4/CNY180.00

载体形态项:

x, 432页:图;24cm

并列正题名:

Introduction to memristor

丛编项:

存储器科学与技术丛书

个人责任者:

缪向水 编著

个人责任者:

李袆 编著

个人责任者:

孙华军 编著

学科主题:

非线性电阻器

中图法分类号:

TM54

题名责任附注:

题名页题: 缪向水, 李袆, 孙华军, 薛堪豪编著

相关题名附注:

英文并列题名取自封面

书目附注:

有书目

提要文摘附注:

本书在全面阐述忆阻器的基本理论、发展历史及趋势的基础上，从忆阻器材料体系、器件设计及集成工艺等方面系统论述忆阻器的物理机制、器件模型和实现方法，并详细介绍忆阻器在可编程模拟电路、类脑神经形态计算，以及非易失性逻辑运算等新兴信息存储与处理融合领域的重要应用，最后对忆阻与其他物理效应耦合的多功能器件的未来发展前景进行探讨。

使用对象附注:

本书可供微电子、材料、凝聚态物理、电路与系统、自动化、人工智能、计算机和神经生物学等领域及相关行业进行忆阻器理论、材料、器件研究及应用的科研、工程技术人员和高等院校的师生学习。

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