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题名/责任者:

纳米级场效应晶体管建模与结构优化研究/靳晓诗, 刘溪著

出版发行项:

北京:清华大学出版社,2017

ISBN及定价:

978-7-302-47779-2/CNY68.00

载体形态项:

241页:图;26cm

个人责任者:

靳晓诗 著

个人责任者:

刘溪 著

学科主题:

纳米技术-场效应晶体管-应用-系统建模-研究

学科主题:

纳米技术-场效应晶体管-应用-优化结构-研究

中图法分类号:

TN386

责任者附注:

靳晓诗, 工学博士, 沈阳工业大学副教授, 辽宁省优秀硕士论文指导教师。刘溪, 工学博士, 沈阳工业大学硕士生导师, 主要从事尖端集成技术研发、人工智能芯片设计等工作。

书目附注:

有书目 (第233-241页)

提要文摘附注:

本书是对作者在纳米级场效应晶体管领域科研学术成果的系统性论述, 具体内容包括纳米级场效应晶体管寄生电容模型、传统纳米级金属氧化物半导体场效应晶体管机理模型、新兴无结型场效应晶体管机理模型以及无结型场效应晶体管的结构优化。

使用对象附注:

本书可供材料、电子、精密仪器等专业科研和工程技术人员参考使用

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