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题名/责任者:

稀土高K栅介质材料/冀婷著

出版发行项:

北京:国防工业出版社,2014

ISBN及定价:

978-7-118-09405-3/CNY68.00

载体形态项:

167页:图;21cm

个人责任者:

冀婷 著

个人责任者:

徐闰 著

个人责任者:

朱燕艳 著

个人责任者:

方泽波 著

学科主题:

稀土金属-棚介质-介质材料

中图法分类号:

TG146.45

题名责任附注:

封面题责任者还有：徐闰, 朱燕艳, 方泽波

书目附注:

有书目

提要文摘附注:

本书主要介绍稀土高K栅介质材料Er203、Tm203薄膜的生长、结构及其特性，重点介绍了利用分子束外延方法获得超薄高K氧化物薄膜的方法，并运用多种手段对薄膜的生长过程、结构、电学特性及能带排列等进行了研究。本书较为全面、系统地介绍了Er203、Tm2 03作为高K栅介质候选材料的制备及相关物理性质。

使用对象附注:

适用于从事微电子、材料等领域的工程技术人员，也可供大专院校相关专业的研究生和科研人员参考。

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