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题名/责任者:

直拉硅单晶生长过程建模与控制/刘丁著

出版发行项:

北京:科学出版社,2015

ISBN及定价:

978-7-03-043346-6 精装/CNY165.00

载体形态项:

xiii, 285页:彩图;25cm

个人责任者:

刘丁 著

学科主题:

直拉硅单晶-晶体生长-过程模拟-建立模型

学科主题:

直拉硅单晶-晶体生长-过程控制

中图法分类号:

TN304.053

中图法分类号:

TP273

一般附注:

中国科学院科学出版基金资助出版

书目附注:

有书目

提要文摘附注:

本书源于作者在直拉硅单晶生长控制领域十余年的研究心得与成果积累，在对硅单晶生长工艺参数及制备理论进行全面论述的基础上，系统地介绍了直拉硅晶体生长的基本原理和工艺过程以及热场、磁场等关键部件的设计理论与方法。

使用对象附注:

适用于集成电路产业的专业技术人员及相关读者。

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