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题名/责任者:

纳米CMOS电路和物理设计/(美)BAN P. WONG[等]著 辛维平等译

出版发行项:

北京:机械工业出版社,2011

ISBN及定价:

978-7-111-33083-7/CNY98.00

载体形态项:

13,345页;24cm

并列正题名:

Nano-CMOS Circuit and Physical Design

丛编项:

国际信息工程先进技术译丛

个人责任者:

(美) 王班 (Wong, Ban P. 1953-) 著

个人次要责任者:

辛维平 译

学科主题:

纳米材料-互补MOS集成电路-集成电路-电路设计

中图法分类号:

TN432

版本附注:

Wiley授权机械工业出版社

提要文摘附注:

本书将纳米工艺、器件可制造性、先进电路设计和相关物理实现等内容整合到一起，形成了一套先进的半导体技术，探讨了器件和工艺的新发展，提供了设计考虑，重点关注了技术与设计的相互影响，并且描述了可制造性设计和波动性的影响。

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