MARC状态：已编 文献类型：中文图书 浏览次数：37
- 题名/责任者:
- 半导体器件和集成电路的辐射效应/陈盘训著
- 出版发行项:
- 北京:国防工业出版社,2005
- ISBN及定价:
- 7-118-03761-3 精装/CNY40.00
- 载体形态项:
- 26, 400页:图;21cm
- 丛编项:
- 中国工程物理研究院科技丛书;044
- 个人责任者:
- 陈盘训 著
- 学科主题:
- 半导体器件-辐射效应
- 学科主题:
- 集成电路-辐射效应
- 中图法分类号:
- TL7
- 书目附注:
- 有书目 (第397-398页)
- 提要文摘附注:
- 本书较为全面地介绍了各类典型半导体器件和集成电路在核辐射和空间辐射环境下的损伤机理和效应。主要内容包括: 国内外核辐射效应发展简史、研究对象和方法, 核爆炸、空间、模拟源和核动力等辐射环境分析等。
全部MARC细节信息>>
| 索书号 | 条码号 | 年卷期 | 馆藏地 | 书刊状态 |
| TL7/2 | 1008097 |  内阅图书
|
可借 | |
| TL7/2 | 1008101 | 未央馆
|
可借 | |
| TL7/2 | 1008102 | 未央馆
|
可借 | |
| TL7/2 | 1008103 | 未央馆
|
借出-应还日期：2013-11-24 | |
| TL7/2 | 1008104 | 未央馆
|
可借 | |
| TL7/2 | 1008105 | 未央馆
|
可借 | |
| TL7/2 | 1008106 | 未央馆
|
可借 | |
| TL7/2 | 1008107 | 未央馆
|
可借 | |
| TL7/2 | 1008108 | 未央馆
|
可借 | |
| TL7/2 | 1008109 | 未央馆
|
可借 | |
| TL7/2 | 1008110 | 未央馆
|
可借 | |
| TL7/2 | 1008111 | 未央馆
|
可借 | |
| TL7/2 | 1008098 | 金花馆
|
可借 | |
| TL7/2 | 1008099 | 金花馆
|
可借 | |
| TL7/2 | 1008100 | 金花馆
|
可借 |
显示全部馆藏信息