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- 题名/责任者:
- 纳米材料电化学/(德)G.霍兹(Gary Hodes)等著 赵辉等译
- 出版发行项:
- 北京:科学出版社,2006
- ISBN及定价:
- 7-03-016490-3/CNY40.00
- 载体形态项:
- 15,249页:图;24cm
- 丛编项:
- 现代化学前沿译丛
- 个人责任者:
- (德) 霍兹i (Hodes, Gary) 著
- 个人次要责任者:
- 赵辉 译
- 学科主题:
- 纳米材料-电化学
- 中图法分类号:
- TB383
- 相关题名附注:
- 英文题名取自版权页
- 书目附注:
- 有书目
- 提要文摘附注:
- 本书主要论述了纳米材料的电化学合成与制备方法以及它们的电化学性质。内容包括电沉积技术合成半导体纳米晶、量子点以及超晶格和多层膜,(光)电化学刻蚀法制备多孔半导体(包括多孔硅),多孔半导体膜的光生电荷及输运现象等。
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索书号 | 条码号 | 年卷期 | 馆藏地 | 书刊状态 |
TB383/59 | CN1030178 | 内阅图书 | 可借 | |
TB383/59 | CN1030181 | 密集库(507) | 可借 | |
TB383/59 | CN1030182 | 未央馆 | 可借 | |
TB383/59 | CN1030183 | 未央馆 | 可借 | |
TB383/59 | CN1030179 | 金花馆 | 可借 | |
TB383/59 | CN1030180 | 金花馆 | 可借 |
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